Transistor NPN BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V

Transistor NPN BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.02€
5-49
0.81€
50-99
0.73€
100+
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Transistor NPN BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V. Vivienda: TO-50. Corriente de colector Ic [A], máx.: 25mA. Corriente del colector: 0.025A. Vivienda (según ficha técnica): TO-50-3. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. FT: 3.2GHz. Familia de componentes: transistor NPN de alta frecuencia. Frecuencia de corte pies [MHz]: 3.2GHz. Función: Amplificador RF de banda ancha hasta rango GHz.. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 20. Marcado del fabricante: BFW92A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: no. Spec info: Transistor de RF plano. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 15V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vivienda (norma JEDEC): -. ¿Transistor Darlington?: no. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BFW92A
30 parámetros
Vivienda
TO-50
Corriente de colector Ic [A], máx.
25mA
Corriente del colector
0.025A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-50-3
Tensión colector/emisor Vceo
25V
Cantidad por caja
1
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
0.3W
FT
3.2GHz
Familia de componentes
transistor NPN de alta frecuencia
Frecuencia de corte pies [MHz]
3.2GHz
Función
Amplificador RF de banda ancha hasta rango GHz.
Ganancia máxima de hFE
150
Ganancia mínima de hFE
20
Marcado del fabricante
BFW92A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
300mW
RoHS
no
Spec info
Transistor de RF plano
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura
+150°C
Tensión colector-emisor Uceo [V]
15V
Tensión de saturación VCE(sat)
0.1V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
25V
¿Transistor Darlington?
no
Producto original del fabricante
Vishay