Transistor NPN BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Transistor NPN BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.46€
5-49
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50-99
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100-199
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Transistor NPN BSP60-115, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 45V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: sí. FT: 200 MHz. Función: alta corriente CC, controladores de relé, controladores de lámpara. Ganancia máxima de hFE: 2000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 2A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 1.25W. Resistencia BE: 150 Ohms. Spec info: transistor complementario (par) BSP50. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.3V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Velocidad: 5V. ¿Transistor Darlington?: sí. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BSP60-115
24 parámetros
Corriente del colector
1A
Vivienda
SOT-223 ( TO-226 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-223
Tensión colector/emisor Vceo
45V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
FT
200 MHz
Función
alta corriente CC, controladores de relé, controladores de lámpara
Ganancia máxima de hFE
2000
Ganancia mínima de hFE
1000
Ic (pulso)
2A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Pd (disipación de potencia, máx.)
1.25W
Resistencia BE
150 Ohms
Spec info
transistor complementario (par) BSP50
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
1.3V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
60V
Velocidad
5V
¿Transistor Darlington?
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors