Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.88€
5-24
0.76€
25-49
0.68€
50-99
0.62€
100+
0.50€
Cantidad en inventario: 19

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: sí. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 2000. Ganancia mínima de hFE: 1000. Ic (pulso): 2A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.83W. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.3V. Tf(máx.): 1300 ns. Tf(mín.): 500 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Velocidad: 5V. ¿Transistor Darlington?: sí. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31

Documentación técnica (PDF)
BSR51
24 parámetros
Corriente del colector
1A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92 ( SOT-54 )
Tensión colector/emisor Vceo
60V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
FT
200 MHz
Ganancia máxima de hFE
2000
Ganancia mínima de hFE
1000
Ic (pulso)
2A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.83W
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
1.3V
Tf(máx.)
1300 ns
Tf(mín.)
500 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
80V
Velocidad
5V
¿Transistor Darlington?
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors