Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.61€
5-24
2.27€
25-49
2.03€
50+
1.80€
Cantidad en inventario: 311

Transistor NPN BU2520DF-PHI, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: SOT-199. Vivienda (según ficha técnica): SOT-199. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. FT: kHz. Función: Conmutación de alta tensión y alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 13. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 25A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: Tensión de aislamiento 2500V. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Tecnología: Transistor de potencia. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Tf(máx.): 0.5us. Tf(mín.): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Velocidad: 13.5V. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:31

Documentación técnica (PDF)
BU2520DF-PHI
25 parámetros
Corriente del colector
10A
Vivienda
SOT-199
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-199
Tensión colector/emisor Vceo
800V
Cantidad por caja
1
FT
kHz
Función
Conmutación de alta tensión y alta velocidad
Ganancia máxima de hFE
13
Ganancia mínima de hFE
5
Ic (pulso)
25A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
Tensión de aislamiento 2500V
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
45W
Spec info
Switching times (16kHz line deflection circuit)
Tecnología
Transistor de potencia
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
5V
Tf(máx.)
0.5us
Tf(mín.)
0.35us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Velocidad
13.5V
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors