Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Cantidad
Precio unitario
1-4
8.30€
5-9
7.60€
10-24
6.95€
25-49
6.53€
50+
5.79€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 7

Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 2. FT: kHz. Ganancia máxima de hFE: 230. Ganancia mínima de hFE: 60. Ic (pulso): 10A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. Resistencia BE: 42 Ohms. RoHS: sí. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Velocidad: 5V. ¿Transistor Darlington?: sí. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:31

Documentación técnica (PDF)
BU808DFX
25 parámetros
Corriente del colector
8A
Vivienda
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Vivienda (según ficha técnica)
ISOWATT218FX
Tensión colector/emisor Vceo
700V
Cantidad por caja
2
FT
kHz
Ganancia máxima de hFE
230
Ganancia mínima de hFE
60
Ic (pulso)
10A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
62W
Resistencia BE
42 Ohms
RoHS
Spec info
ICM--(tp < 5ms)
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1.6V
Tf(máx.)
0.8us
Tf(mín.)
0.2us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1400V
Velocidad
5V
¿Transistor Darlington?
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics

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