Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.88€
5-24
1.59€
25-49
1.40€
50-99
1.28€
100+
1.11€
Cantidad en inventario: 56

Transistor NPN BUL216, 1600V, TO-220, 4A, TO-220, 800V. Voltaje colector-emisor VCEO: 1600V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 4A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Función: conmutación rápida de alto voltaje, para conmutar fuentes de alimentación. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 6A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Polaridad: NPN. Potencia: 90W. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Tf(máx.): 720 ns. Tf(mín.): 450 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Velocidad: 9V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 12:31

Documentación técnica (PDF)
BUL216
26 parámetros
Voltaje colector-emisor VCEO
1600V
Vivienda
TO-220
Corriente del colector
4A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220
Tensión colector/emisor Vceo
800V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Función
conmutación rápida de alto voltaje, para conmutar fuentes de alimentación
Ganancia máxima de hFE
40
Ganancia mínima de hFE
10
Ic (pulso)
6A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
90W
Polaridad
NPN
Potencia
90W
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
3V
Tf(máx.)
720 ns
Tf(mín.)
450 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1600V
Velocidad
9V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics