Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V

Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.03€
5-24
1.68€
25-49
1.50€
50+
1.34€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 43

Transistor NPN BUT11APX, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( SOT186A ). Tensión colector/emisor Vceo: 450V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 10A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 32W. RoHS: sí. Tecnología: Transistor de potencia. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tf(máx.): 160 ns. Tf(mín.): 145 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Producto original del fabricante: Philips Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 08:57

Documentación técnica (PDF)
BUT11APX
23 parámetros
Corriente del colector
5A
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220F ( SOT186A )
Tensión colector/emisor Vceo
450V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Ganancia máxima de hFE
35
Ganancia mínima de hFE
10
Ic (pulso)
10A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
32W
RoHS
Tecnología
Transistor de potencia
Temperatura de funcionamiento
-...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.25V
Tf(máx.)
160 ns
Tf(mín.)
145 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1000V
Producto original del fabricante
Philips Semiconductors

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