Transistor NPN DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor NPN DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Cantidad
Precio unitario
10-24
0.0961€
25-49
0.0830€
50-99
0.0754€
100+
0.0637€
Cantidad en inventario: 65
Mín.: 10

Transistor NPN DTA143ZT, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Costo): 3pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Función: Transistor equipado con resistencia PNP. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 100mA. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Resistencia B: 4.7k Ohms. Resistencia BE: 47k Ohms. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 19. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.1V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Velocidad: 10V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:03

Documentación técnica (PDF)
DTA143ZT
26 parámetros
Corriente del colector
100mA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensión colector/emisor Vceo
50V
Cantidad por caja
1
Costo)
3pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Función
Transistor equipado con resistencia PNP
Ganancia mínima de hFE
100
Ic (pulso)
100mA
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.25W
Resistencia B
4.7k Ohms
Resistencia BE
47k Ohms
RoHS
Spec info
serigrafía/código SMD 19
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.1V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Velocidad
10V
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors
Cantidad mínima
10