Transistor NPN FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v

Transistor NPN FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.55€
5-24
1.28€
25-49
1.15€
50+
1.01€
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Transistor NPN FZT949, SOT-223 ( TO-226 ), 30 v, 5.5A, 5.5A, SOT-223, 30 v. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (norma JEDEC): -. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 30 v. Corriente de colector Ic [A], máx.: 5.5A. Corriente del colector: 5.5A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 30 v. Cantidad por caja: 1. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 3W. FT: 100 MHz. Familia de componentes: transistor de potencia PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Función: PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 20A. Marcado del fabricante: FZT949. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. RoHS: sí. Spec info: voltaje de saturación muy bajo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de saturación VCE(sat): 0.35V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Velocidad: 6V. Producto original del fabricante: Zetex. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19

Documentación técnica (PDF)
FZT949
31 parámetros
Vivienda
SOT-223 ( TO-226 )
Tensión colector-emisor Uceo [V]
30 v
Corriente de colector Ic [A], máx.
5.5A
Corriente del colector
5.5A
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-223
Tensión colector/emisor Vceo
30 v
Cantidad por caja
1
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
3W
FT
100 MHz
Familia de componentes
transistor de potencia PNP
Frecuencia de corte pies [MHz]
100 MHz
Función
PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR
Ganancia máxima de hFE
300
Ganancia mínima de hFE
100
Ic (pulso)
20A
Marcado del fabricante
FZT949
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
3W
RoHS
Spec info
voltaje de saturación muy bajo
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de saturación VCE(sat)
0.35V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
50V
Velocidad
6V
Producto original del fabricante
Zetex