Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
8.75€
5-9
7.95€
10-19
7.53€
20+
7.23€
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Transistor NPN KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-3PF (SOT399). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: sí. FT: kHz. Función: High Switching 0.1us. Ganancia máxima de hFE: 22. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5386. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Resistencia BE: 10. RoHS: sí. Spec info: VEBO 6V. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 4.2V. Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 30. Vcbo: 1500V. Velocidad: 6V. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27

Documentación técnica (PDF)
KSC5386TU
30 parámetros
Corriente del colector
7A
Vivienda
TO-3PF (SOT399)
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3PF
Tensión colector/emisor Vceo
800V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
FT
kHz
Función
High Switching 0.1us
Ganancia máxima de hFE
22
Ganancia mínima de hFE
8:1
Ic (pulso)
16A
Marcado en la caja
C5386
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
50W
Resistencia BE
10
RoHS
Spec info
VEBO 6V
Tecnología
Transistor de silicio plano triple difuso
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
4.2V
Tf(máx.)
0.2us
Tf(mín.)
0.1us
Tipo de transistor
NPN
Unidad de acondicionamiento
30
Vcbo
1500V
Velocidad
6V