Transistor NPN KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Transistor NPN KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.27€
5-29
1.99€
30-59
1.79€
60+
1.65€
Cantidad en inventario: 18

Transistor NPN KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P ( H ) IS. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Costo): 280pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 10 MHz. Función: Amplificador de audio de alta potencia. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 55. Marcado en la caja: B778. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Spec info: transistor complementario (par) KTD998. Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Tipo de transistor: PNP. Unidad de acondicionamiento: 30. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Korea Electronics Semi. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27

Documentación técnica (PDF)
KTB778
26 parámetros
Corriente del colector
10A
Vivienda
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3P ( H ) IS
Tensión colector/emisor Vceo
120V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Costo)
280pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
10 MHz
Función
Amplificador de audio de alta potencia
Ganancia máxima de hFE
160
Ganancia mínima de hFE
55
Marcado en la caja
B778
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
80W
Spec info
transistor complementario (par) KTD998
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2.5V
Tipo de transistor
PNP
Unidad de acondicionamiento
30
Vcbo
120V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Korea Electronics Semi.