Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V

Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.05€
5-14
1.69€
15-29
1.51€
30+
1.33€
Cantidad en inventario: 117

Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 700V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Función: FAST-SWITCH. Ganancia máxima de hFE: 18. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 16A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 58W. RoHS: sí. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Temperatura: +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.3V. Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Velocidad: 7V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:05

Documentación técnica (PDF)
MD2009DFX
25 parámetros
Corriente del colector
10A
Vivienda
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3PF
Tensión colector/emisor Vceo
700V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Función
FAST-SWITCH
Ganancia máxima de hFE
18
Ganancia mínima de hFE
5
Ic (pulso)
16A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
58W
RoHS
Spec info
ICM--16A (tp=5ms)
Temperatura
+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
1.3V
Tf(máx.)
0.6us
Tf(mín.)
0.3us
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Velocidad
7V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics