Transistor NPN MJ11015G, TO-3 ( TO-204 ), TO-204AA, -120V, 30A, 120V, 30A, TO-3, 120V

Transistor NPN MJ11015G, TO-3 ( TO-204 ), TO-204AA, -120V, 30A, 120V, 30A, TO-3, 120V

Cantidad
Precio unitario
1-4
14.12€
5-9
13.32€
10-24
12.81€
25-49
12.43€
50+
11.72€
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Transistor NPN MJ11015G, TO-3 ( TO-204 ), TO-204AA, -120V, 30A, 120V, 30A, TO-3, 120V. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Voltaje colector-emisor VCEO: -120V. Corriente del colector: 30A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 120V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 30A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Ancho de banda MHz: 4MHz. Cantidad por caja: 2. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima 1: -30A. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 200. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Diodo incorporado: sí. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. FT: 4 MHz. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: -. Frecuencia máxima: 4MHz. Función: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Ganancia mínima de hFE: 1000. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: MJ11015G. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminales: 2. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Polaridad: PNP. Potencia: 200W. RoHS: sí. Serie: MJ11015G. Spec info: transistor complementario (par) MJ11016. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Temperatura máxima: +200°C.. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Tipo de montaje: Monte del chasis. Tipo de transistor: PNP. Tipo: transistor Darlington. Vcbo: 120V. Velocidad: 5V. Voltaje de base coleccionista VCBO: -120V. ¿Transistor Darlington?: sí. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:05

Documentación técnica (PDF)
MJ11015G
45 parámetros
Vivienda
TO-3 ( TO-204 )
Vivienda (norma JEDEC)
TO-204AA
Voltaje colector-emisor VCEO
-120V
Corriente del colector
30A
Tensión colector-emisor Uceo [V]
120V
Corriente de colector Ic [A], máx.
30A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-3
Tensión colector/emisor Vceo
120V
Ancho de banda MHz
4MHz
Cantidad por caja
2
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente máxima 1
-30A
DC Collector/Base Gane Hfe Min.
200
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Diodo incorporado
Disipación máxima Ptot [W]
200W
FT
4 MHz
Familia de componentes
Transistor de potencia Darlington PNP
Frecuencia máxima
4MHz
Función
hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc)
Ganancia mínima de hFE
1000
Marcado del fabricante
MJ11015G
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Nota
8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2)
Número de terminales
2
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
200W
Polaridad
PNP
Potencia
200W
RoHS
Serie
MJ11015G
Spec info
transistor complementario (par) MJ11016
Temperatura de funcionamiento
-55...+200°C
Temperatura máxima
+200°C.
Tensión de saturación VCE(sat)
3V
Tipo de montaje
Monte del chasis
Tipo de transistor
PNP
Tipo
transistor Darlington
Vcbo
120V
Velocidad
5V
Voltaje de base coleccionista VCBO
-120V
¿Transistor Darlington?
Producto original del fabricante
ON Semiconductor

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