Transistor NPN MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V

Transistor NPN MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.35€
5-24
2.07€
25-49
1.84€
50-99
1.65€
100+
1.39€
+51 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 46

Transistor NPN MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Voltaje colector-emisor VCEO: -150V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Ancho de banda MHz: 30MHz. Cantidad por caja: 1. Corriente máxima 1: -8A. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 20. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Frecuencia máxima: 30MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 16A. Información: -. MSL: -. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Polaridad: PNP. Potencia: 50W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE15030G. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Tipo: Potencia. Unidad de acondicionamiento: 50. Vcbo: 150V. Velocidad: 5V. Voltaje de base coleccionista VCBO: -150V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:52

Documentación técnica (PDF)
MJE15031G
36 parámetros
Voltaje colector-emisor VCEO
-150V
Vivienda
TO-220
Corriente del colector
8A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Tensión colector/emisor Vceo
150V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Ancho de banda MHz
30MHz
Cantidad por caja
1
Corriente máxima 1
-8A
DC Collector/Base Gane Hfe Min.
20
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
30 MHz
Frecuencia máxima
30MHz
Función
para amplificador de audio
Ganancia máxima de hFE
40
Ganancia mínima de hFE
20
Ic (pulso)
16A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
50W
Polaridad
PNP
Potencia
50W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) MJE15030G
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.5V
Tipo de montaje
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Tipo de transistor
PNP
Tipo
Potencia
Unidad de acondicionamiento
50
Vcbo
150V
Velocidad
5V
Voltaje de base coleccionista VCBO
-150V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor

Productos y/o accesorios equivalentes para MJE15031G