Transistor NPN MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V. Voltaje colector-emisor VCEO: 250V. Vivienda: TO-220. Corriente del colector: 8A. Corriente de colector Ic [A], máx.: 8A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. Ancho de banda MHz: 30MHz. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima 1: 8A. Costo): 4pF. DC Collector/Base Gane Hfe Min.: 10. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Familia de componentes: transistor NPN de alto voltaje. Frecuencia de corte pies [MHz]: 30 MHz. Frecuencia máxima: 30MHz. Función: para amplificador de audio. Ganancia máxima de hFE: 50. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 16A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: MJE15032G. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Polaridad: NPN. Potencia: 50W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE15033. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 250V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de montaje: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Tipo: Potencia. Vcbo: 250V. Velocidad: 5V. Vivienda (norma JEDEC): TO-220. Voltaje de base coleccionista VCBO: 250V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:52