Transistor NPN MJE15035G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Cantidad por caja: 1. Costo): 2.5pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: transistor complementario (par) MJE15034G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27