Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.20€
5-24
2.78€
25-49
2.48€
50+
2.39€
Cantidad en inventario: 11

Transistor NPN MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 450V. C(pulg): 1750pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 100pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 13MHz. Función: Aplicaciones de fuente de alimentación de modo de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 14. Ganancia mínima de hFE: 34. Ic (pulso): 16A. Material semiconductor: silicio. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.6V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 01/01/2026, 02:01

MJE18008
23 parámetros
Corriente del colector
8A
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Tensión colector/emisor Vceo
450V
C(pulg)
1750pF
Cantidad por caja
1
Costo)
100pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
13MHz
Función
Aplicaciones de fuente de alimentación de modo de conmutación
Ganancia máxima de hFE
14
Ganancia mínima de hFE
34
Ic (pulso)
16A
Material semiconductor
silicio
Pd (disipación de potencia, máx.)
120W
RoHS
Temperatura de funcionamiento
-60...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.3V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
0.6V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
1000V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor