Transistor NPN MJE200G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Costo): 80pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 65MHz. Función: -. Ganancia máxima de hFE: 180. Ganancia mínima de hFE: 45. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementario (par) MJE210. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Velocidad: 8V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27