Transistor NPN MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V

Transistor NPN MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.06€
5-24
0.88€
25-49
0.77€
50-99
0.70€
100+
0.60€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 62

Transistor NPN MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V. Vivienda: TO-220. Corriente de colector Ic [A], máx.: 10A. Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Acondicionamiento: tubus. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 10A. Costo): 200pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2 MHz. Función: NF-L. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Marcado del fabricante: MJE3055T. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Polaridad: bipolar. Potencia: 90W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE2955T. Tecnología: Epitaxial-Base. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.1V. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 50. Vcbo: 70V. Velocidad: 5V. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Voltaje (coleccionista - emisor): 70V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27

Documentación técnica (PDF)
MJE3055T
41 parámetros
Vivienda
TO-220
Corriente de colector Ic [A], máx.
10A
Corriente del colector
10A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Tensión colector/emisor Vceo
60V
Acondicionamiento
tubus
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
10A
Costo)
200pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Disipación máxima Ptot [W]
75W
FT
2 MHz
Familia de componentes
transistor de potencia NPN
Frecuencia de corte pies [MHz]
2 MHz
Función
NF-L
Ganancia máxima de hFE
70
Ganancia mínima de hFE
20
Marcado del fabricante
MJE3055T
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
75W
Polaridad
bipolar
Potencia
90W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) MJE2955T
Tecnología
Epitaxial-Base
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uceo [V]
60V
Tensión de saturación VCE(sat)
1.1V
Tipo de transistor
NPN
Unidad de acondicionamiento
50
Vcbo
70V
Velocidad
5V
Vivienda (norma JEDEC)
TO-220AB
Voltaje (coleccionista - emisor)
70V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics

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