Transistor NPN MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V

Transistor NPN MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.88€
5-49
0.76€
50-99
0.66€
100-199
0.58€
200+
0.49€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 108

Transistor NPN MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Vivienda (según ficha técnica): TO-225. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 7pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 110pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Equivalentes: KSE350. FT: 10 MHz. Función: -. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 30. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 20.8W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) MJE340. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tipo de transistor: PNP. Velocidad: 3V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27

Documentación técnica (PDF)
MJE350-ONS
22 parámetros
Corriente del colector
0.5A
Vivienda
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Vivienda (según ficha técnica)
TO-225
Tensión colector/emisor Vceo
300V
C(pulg)
7pF
Cantidad por caja
1
Costo)
110pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Equivalentes
KSE350
FT
10 MHz
Ganancia máxima de hFE
240
Ganancia mínima de hFE
30
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
20.8W
RoHS
Spec info
transistor complementario (par) MJE340
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tipo de transistor
PNP
Velocidad
3V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor

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