Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.45€
5-24
2.16€
25-49
1.98€
50-99
1.85€
100+
1.65€
Cantidad en inventario: 22

Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: sí. Ganancia máxima de hFE: 400. Ganancia mínima de hFE: 50. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. Resistencia BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Tf(mín.): 2us. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 50. Vcbo: 400V. ¿Transistor Darlington?: sí. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27

Documentación técnica (PDF)
MJE5742
24 parámetros
Corriente del colector
8A
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Tensión colector/emisor Vceo
800V
Acondicionamiento
tubo de plástico
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
Ganancia máxima de hFE
400
Ganancia mínima de hFE
50
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
80W
Resistencia BE
100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2)
RoHS
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
2V
Tf(mín.)
2us
Tipo de transistor
NPN
Unidad de acondicionamiento
50
Vcbo
400V
¿Transistor Darlington?
Producto original del fabricante
ON Semiconductor