Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0294€
50-99
0.0249€
100+
0.0225€
Cantidad en inventario: 1009
Mín.: 10

Transistor NPN MMBT2907ALT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Costo): 1.6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 1.2A. Marcado en la caja: 2F. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. RoHS: sí. Spec info: SMD '2F'. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:37

Documentación técnica (PDF)
MMBT2907ALT1G
26 parámetros
Corriente del colector
0.6A
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensión colector/emisor Vceo
60V
Cantidad por caja
1
Costo)
1.6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
200 MHz
Ganancia máxima de hFE
300
Ganancia mínima de hFE
100
Ic (pulso)
1.2A
Marcado en la caja
2F
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
225mW
RoHS
Spec info
SMD '2F'
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.4V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
60V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor
Cantidad mínima
10