Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0396€
50-99
0.0327€
100-199
0.0286€
200+
0.0241€
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Cantidad en inventario: 278
Mín.: 10

Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente del colector Ic [A]: 0.2A. Costo): 1.6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. FT: 300 MHz. Familia de componentes: transistor NPN. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Frecuencia: 300MHz. Función: UNI. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Marcado del fabricante: 1AM. Marcado en la caja: 1AM. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.2W. Polaridad: bipolar. Potencia: 300mW. RoHS: sí. Spec info: SMD 1AM. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Voltaje (coleccionista - emisor): 40V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:37

Documentación técnica (PDF)
MMBT3904LT1G
37 parámetros
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Corriente de colector Ic [A], máx.
200mA
Corriente del colector
0.2A
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23
Tensión colector/emisor Vceo
60V
Cantidad por caja
1
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Corriente del colector Ic [A]
0.2A
Costo)
1.6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Disipación máxima Ptot [W]
0.225W
FT
300 MHz
Familia de componentes
transistor NPN
Frecuencia de corte pies [MHz]
300 MHz
Frecuencia
300MHz
Función
UNI
Ganancia máxima de hFE
300
Ganancia mínima de hFE
100
Marcado del fabricante
1AM
Marcado en la caja
1AM
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.2W
Polaridad
bipolar
Potencia
300mW
RoHS
Spec info
SMD 1AM
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uceo [V]
40V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
40V
Vivienda (norma JEDEC)
TO-236
Voltaje (coleccionista - emisor)
40V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor
Cantidad mínima
10