Transistor NPN MMBT3906LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, 40V, 200mA, 200mA, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. Corriente del colector: 200mA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente del colector Ic [A]: 0.2A. Costo): 1.6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 0.225W. FT: 250 MHz. Familia de componentes: transistor PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Frecuencia: 250MHz. Función: UNI. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 800mA. Marcado del fabricante: 2A. Marcado en la caja: 2A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 225mW. Polaridad: bipolar. Potencia: 300mW. RoHS: sí. Spec info: SMD 2A. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tf(máx.): 75 ns. Tf(mín.): 35 ns. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 40V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:37