Transistor NPN MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. Corriente del colector: 0.5A. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Cantidad por caja: 1. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Corriente del colector Ic [A]: 0.6A. Costo): 6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 0.250W. Equivalentes: MMBT5401LT1G. FT: 100 MHz. Familia de componentes: transistor PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 50. Marcado del fabricante: 2L. Marcado en la caja: 2 L. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. Polaridad: bipolar. Potencia: 350mW. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD (código de fecha 2Lx). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 150V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vcbo: 160V. Velocidad: 5V. Vivienda (norma JEDEC): TO-236. Voltaje (coleccionista - emisor): 150V. Producto original del fabricante: Diotec Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:37