Transistor NPN MMBT5551, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Equivalentes: MMBT5551LT1G. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: G1. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300mW. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD G1 (3S Fairchild). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.15V. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vcbo: 180V. Velocidad: 6V. Producto original del fabricante: Diotec Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 18:37