Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.44€
5-9
0.33€
10-24
0.30€
25+
0.27€
Cantidad en inventario: 2893

Transistor NPN MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Corriente del colector: 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: kHz. Función: transistor con red de resistencia de polarización. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: 8B. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: B1GBCFLL0035. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 338mW. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 8B. Tecnología: Transistores digitales (BRT). Temperatura: +150°C. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:07

MUN2212
24 parámetros
Corriente del colector
0.1A
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm )
Tensión colector/emisor Vceo
50V
Cantidad por caja
1
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
kHz
Función
transistor con red de resistencia de polarización
Ganancia máxima de hFE
100
Ganancia mínima de hFE
60
Marcado en la caja
8B
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
B1GBCFLL0035
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
338mW
RoHS
Spec info
serigrafía/código SMD 8B
Tecnología
Transistores digitales (BRT)
Temperatura
+150°C
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
50V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor