Transistor NPN PMBT4403, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Transistor NPN PMBT4403, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0672€
50-99
0.0587€
100-499
0.0526€
500+
0.0442€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 2847
Mín.: 10

Transistor NPN PMBT4403, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Costo): 29pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 200 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 800mA. Marcado en la caja: *T2, P2T, T2T, W2T. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. RoHS: sí. Spec info: Serigrafía/código SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementario (par) PMBT4401. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tf(máx.): 350 ns. Tf(mín.): 40 ns. Tipo de transistor: PNP. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vcbo: 40V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:22

Documentación técnica (PDF)
PMBT4403
31 parámetros
Corriente del colector
600mA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensión colector/emisor Vceo
40V
Acondicionamiento
rollo
Cantidad por caja
1
Costo)
29pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
200 MHz
Función
Conmutación de alta velocidad
Ganancia máxima de hFE
300
Ganancia mínima de hFE
100
Ic (pulso)
800mA
Marcado en la caja
*T2, P2T, T2T, W2T
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.25W
RoHS
Spec info
Serigrafía/código SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementario (par) PMBT4401
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.4V
Tf(máx.)
350 ns
Tf(mín.)
40 ns
Tipo de transistor
PNP
Unidad de acondicionamiento
3000
Vcbo
40V
Velocidad
5V
Producto original del fabricante
Nxp Semiconductors
Cantidad mínima
10

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