Transistor NPN PUMB11-R, SOT-363, 50V, 100mA

Transistor NPN PUMB11-R, SOT-363, 50V, 100mA

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Transistor NPN PUMB11-R, SOT-363, 50V, 100mA. Vivienda: SOT-363. Vivienda (norma JEDEC): -. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 50V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 100mA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.3W. Familia de componentes: transistor doble PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 180 MHz. Marcado del fabricante: B*1. Número de terminales: 6. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C. Producto original del fabricante: Nexperia. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22

Documentación técnica (PDF)
PUMB11-R
12 parámetros
Vivienda
SOT-363
Tensión colector-emisor Uceo [V]
50V
Corriente de colector Ic [A], máx.
100mA
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
0.3W
Familia de componentes
transistor doble PNP
Frecuencia de corte pies [MHz]
180 MHz
Marcado del fabricante
B*1
Número de terminales
6
RoHS
Temperatura máxima
+150°C
Producto original del fabricante
Nexperia