Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.59€
5-49
0.47€
50-99
0.41€
100-499
0.38€
500+
0.32€
Cantidad en inventario: 967

Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Costo): 215pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 130 MHz. Función: Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de bajo voltaje. Ganancia máxima de hFE: 350. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): 10A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.32V. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 1000. Vcbo: 150V. Velocidad: 7V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24

STN851
26 parámetros
Corriente del colector
5A
Vivienda
SOT-223 ( TO-226 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-223
Tensión colector/emisor Vceo
60V
Acondicionamiento
rollo
Cantidad por caja
1
Costo)
215pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
130 MHz
Función
Transistor de potencia NPN de conmutación rápida de bajo voltaje
Ganancia máxima de hFE
350
Ganancia mínima de hFE
30
Ic (pulso)
10A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
1.6W
RoHS
Temperatura de funcionamiento
-65...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.32V
Tipo de transistor
NPN
Unidad de acondicionamiento
1000
Vcbo
150V
Velocidad
7V
Producto original del fabricante
Stmicroelectronics