Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V

Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.30€
5-49
1.07€
50-99
0.90€
100+
0.80€
Cantidad en inventario: 80

Transistor NPN ZTX851, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. FT: 130 MHz. Función: Muy baja saturación VBE(sat)0.92V. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 20A. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.58W. RoHS: sí. Tecnología: SILICON PLANAR. Temperatura de funcionamiento: -55...+200°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tf(máx.): 1100 ns. Tf(mín.): 45 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Velocidad: 6V. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:05

Documentación técnica (PDF)
ZTX851
24 parámetros
Corriente del colector
5A
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
60V
Cantidad por caja
1
FT
130 MHz
Función
Muy baja saturación VBE(sat)0.92V
Ganancia máxima de hFE
300
Ganancia mínima de hFE
100
Ic (pulso)
20A
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
1.58W
RoHS
Tecnología
SILICON PLANAR
Temperatura de funcionamiento
-55...+200°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.2V
Tf(máx.)
1100 ns
Tf(mín.)
45 ns
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
150V
Velocidad
6V
Producto original del fabricante
Diodes Inc.