US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0913€
50-99
0.0792€
100-499
0.0711€
500+
0.0605€
+889 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Cantidad en inventario: 4661
Mín.: 10

US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Equivalentes: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Unidad de acondicionamiento: 5000. Producto original del fabricante: Smc. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 20:52

Documentación técnica (PDF)
US1M
21 parámetros
Corriente directa (AV)
1A
IFSM
30A
Vivienda (según ficha técnica)
SMA (4.6x2.8 mm)
VRRM
1000V
Acondicionamiento
rollo
Cantidad por caja
1
Diodo Trr (Mín.)
75 ns
Equivalentes
US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Función
Ultrafast silicon rectifier diode
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
RoHS
Spec info
IFSM--30Ap
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1.7V
Tensión umbral Vf (máx)
1.7V
Unidad de acondicionamiento
5000
Producto original del fabricante
Smc
Cantidad mínima
10