Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1N4448

1N4448
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1 - 4 0.46€ 0.56€
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10 - 24 0.41€ 0.50€
25 - 49 0.40€ 0.48€
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100 - 149 0.28€ 0.34€
150 - 411 0.26€ 0.31€
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Conjunto de 10

1N4448. VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. RoHS: sí. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Cj: 4pF. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Producto original del fabricante Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 25/07/2025, 16:25.

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Corriente directa (AV): 300mA. IFSM: 4A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: 0...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 620mV
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