Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1N4448

1N4448
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Cantidad (Conjunto de 10) sin IVA IVA incl.
1 - 4 0.38€ 0.46€
5 - 9 0.36€ 0.44€
10 - 24 0.34€ 0.41€
25 - 49 0.38€ 0.46€
50 - 99 0.38€ 0.46€
100 - 149 0.28€ 0.34€
150 - 1029 0.26€ 0.31€
Cantidad (Conjunto de 10) U.P
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Conjunto de 10

1N4448. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo de silicio de pequeña señal. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-35. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Tensión directa Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 25nA..5uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Vivienda (norma JEDEC): 0.45A. Tensión umbral Vf (máx): 1V. VRRM: 100V. Producto original del fabricante Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 01:25.

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Corriente directa (AV): 300mA. IFSM: 4A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: 0...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 620mV
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