1N5406H

Cantidad (Conjunto de 10)	sin IVA	IVA incl.
1 - 1	1.13€	1.37€
2 - 2	1.08€	1.31€
3 - 4	1.02€	1.23€
5 - 9	0.96€	1.16€
10 - 24	0.91€	1.10€
25 - 28	0.79€	0.96€

Cantidad (Conjunto de 10)	U.P
1 - 1	1.13€	1.37€
2 - 2	1.08€	1.31€
3 - 4	1.02€	1.23€
5 - 9	0.96€	1.16€
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Conjunto de 10

1N5406H. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 2. Nota: distancia entre centros 15 mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.

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