Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6488

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6488
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1 - 4 1.59€ 1.92€
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10 - 24 1.46€ 1.77€
25 - 49 1.43€ 1.73€
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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6488. Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5 MHz. Función: Aplicaciones de amplificador y conmutación.. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2N6491. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.5V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 05:25.

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BD911

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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (...
BD911
Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Spec info: transistor complementario (par) BD912. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V
BD911
Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Función: Potencia Lineal y Conmutación. Ganancia máxima de hFE: 250. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 90W. Spec info: transistor complementario (par) BD912. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V
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2N6488-HTC

2N6488-HTC

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (s...
2N6488-HTC
Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 90V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Spec info: transistor complementario (par) 2N6491. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN
2N6488-HTC
Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 90V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Spec info: transistor complementario (par) 2N6491. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN
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