Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SA1013

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SA1013
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25 - 49 0.31€ 0.38€
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V - 2SA1013. Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 50 MHz. Función: CTV-NF/VA. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 60. Marcado en la caja: A1013. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio epitaxial . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Velocidad: 6V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 02:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 2A. Marcado en la caja: B647. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD667. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corriente del colector: 1.5A. Vivienda (según ficha técnica): TO-126. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Vivienda: TO-126 (TO-225, SOT-32). Costo): 27pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 140 MHz. Ganancia máxima de hFE: 200. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SD669A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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