Transistor NPN, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V - 2SA1358Y

Transistor NPN, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V - 2SA1358Y. Transistor NPN, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-126F. Vivienda (según ficha técnica): TO-126F (2-8A1H). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 30pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 120 MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 120. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo epitaxial (proceso PCT) . Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2SC3421Y. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.