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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 120V - 2SC1845

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 120V - 2SC1845
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 120V - 2SC1845. Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 1.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 110 MHz. Función: amplificador de audio de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 580. Ganancia mínima de hFE: 150. Marcado en la caja: C1845. Equivalentes: KSC1845. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.07V. Velocidad: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.

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KSC1845-F

KSC1845-F

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. V...
KSC1845-F
Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 1.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 110 MHz. Función: amplificador de audio de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 300. Marcado en la caja: C1845. Equivalentes: 2SC1845. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.07V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) KSA992. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
KSC1845-F
Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 3L (AMMO). Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Costo): 1.6pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 110 MHz. Función: amplificador de audio de alta fidelidad. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 300. Marcado en la caja: C1845. Equivalentes: 2SC1845. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.07V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) KSA992. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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