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Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PM, 140V - 2SC3855

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PM, 140V - 2SC3855
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Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PM, 140V - 2SC3855. Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PM, 140V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PM. Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Ganancia mínima de hFE: 50. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 6V. Producto original del fabricante Inchange Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 17/06/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-93. Tensión colector/emisor Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 250pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 60 MHz. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 40. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SA1294. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V
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