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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC5386

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC5386
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V - 2SC5386. Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 1.7 MHz. Función: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganancia máxima de hFE: 35. Ganancia mínima de hFE: 4.3. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5386. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: MONITOR Hi-res. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 01/07/2025, 14:25.

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2SC5387

2SC5387

Transistor NPN, 10A, 600V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantida...
2SC5387
Transistor NPN, 10A, 600V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA de triple difusión . Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
2SC5387
Transistor NPN, 10A, 600V. Corriente del colector: 10A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: VCE(sat) 3V max. Nota: Tipo MESA de triple difusión . Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V
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KSC5386TU

KSC5386TU

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-3PF (SOT...
KSC5386TU
Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-3PF (SOT399). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 10. Diodo CE: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: High Switching 0.1us. Ganancia máxima de hFE: 22. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5386. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: VEBO 6V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 4.2V. Velocidad: 6V
KSC5386TU
Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corriente del colector: 7A. Vivienda: TO-3PF (SOT399). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 10. Diodo CE: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: High Switching 0.1us. Ganancia máxima de hFE: 22. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Marcado en la caja: C5386. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Spec info: VEBO 6V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de silicio plano triple difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(mín.): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 4.2V. Velocidad: 6V
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