Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 1.74€ 2.11€
5 - 9 1.66€ 2.01€
10 - 24 1.57€ 1.90€
25 - 49 1.48€ 1.79€
50 - 99 1.45€ 1.75€
100 - 249 1.41€ 1.71€
250+ 1.34€ 1.62€
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): 2-10R1A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 35pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Marcado en la caja: D2012. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) 2SB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 16:25.

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KSD2012GTU

KSD2012GTU

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda ...
KSD2012GTU
Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 35pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 150. Marcado en la caja: D2012-G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) KSB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
KSD2012GTU
Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corriente del colector: 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Costo): 35pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 3 MHz. Ganancia máxima de hFE: 320. Ganancia mínima de hFE: 150. Marcado en la caja: D2012-G. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V. Spec info: transistor complementario (par) KSB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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