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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SD2499

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SD2499
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 3.13€ 3.79€
5 - 9 2.97€ 3.59€
10 - 24 2.88€ 3.48€
25 - 49 2.81€ 3.40€
50 - 99 2.75€ 3.33€
100 - 249 2.66€ 3.22€
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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V - 2SD2499. Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: CTV-HA. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 30/06/2025, 21:25.

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2SD2499-PMC

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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: T...
2SD2499-PMC
Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: CTV-HA. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V
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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corriente del colector: 6A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): 2-16E3A. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Resistencia BE: 40 Ohms. Costo): 95pF. Diodo CE: sí. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2 MHz. Función: CTV-HA. Ganancia máxima de hFE: 25. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 12A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MESA de triple difusión . Tf(máx.): 0.6us. Tf(mín.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 5V
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