Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699

Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 4.31€ 5.22€
5 - 9 4.09€ 4.95€
10 - 24 3.96€ 4.79€
25 - 49 3.88€ 4.69€
50 - 99 3.79€ 4.59€
100 - 197 3.58€ 4.33€
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Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V - 2SK2699. Transistor de canal N, 6A, 12A, 100uA, 0.50 Ohms, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.50 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO3P ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2600pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 48A. Marcado en la caja: K2699. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 25/07/2025, 12:25.

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STW13NK60Z

STW13NK60Z

Transistor de canal N, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°...
STW13NK60Z
Transistor de canal N, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 50mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1mA. Marcado en la caja: W13NK60Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. C(pulg): 2030pF. Costo): 210pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1
STW13NK60Z
Transistor de canal N, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 50mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): 1mA. Marcado en la caja: W13NK60Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Spec info: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. C(pulg): 2030pF. Costo): 210pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1
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IRFPC60

IRFPC60

Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25...
IRFPC60
Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 3900pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 64A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
IRFPC60
Transistor de canal N, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 3900pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 64A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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