6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V

6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.42€
5-24
0.35€
25-49
0.31€
50-99
0.26€
100+
0.21€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 159

6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V. Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 250A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Cj: 60pF. Diodo Trr (Mín.): 2500 ns. Equivalentes: 6A100G-R0G. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Marcado en la caja: 6A10. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Producto original del fabricante: Yangzhou Yangjie Electronic. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 22:01

Documentación técnica (PDF)
6A100G-R0G
22 parámetros
Corriente directa (AV)
6A
IFSM
250A
Vivienda
R-6
Vivienda (según ficha técnica)
R-6 ( 9.1x7.2mm )
VRRM
1000V
Cantidad por caja
1
Cj
60pF
Diodo Trr (Mín.)
2500 ns
Equivalentes
6A100G-R0G
Estructura dieléctrica
Ánodo-Cátodo
Marcado en la caja
6A10
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
2
Resonancia magnética (máx.)
100uA
Resonancia magnética (mín.)
10uA
RoHS
Spec info
IFSM--250Ap (t=8.3ms)
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión directa Vf (mín.)
1V
Tensión umbral Vf (máx)
1V
Producto original del fabricante
Yangzhou Yangjie Electronic

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