80SQ05

80SQ05. Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, conductores axiales. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.