ABS15G
| Cantidad (Conjunto de 5) | sin IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.80€ | 0.97€ |
| 3 - 4 | 0.76€ | 0.92€ |
| 5 - 9 | 0.72€ | 0.87€ |
| 10 - 19 | 0.68€ | 0.82€ |
| 20 - 47 | 0.64€ | 0.77€ |
| Cantidad (Conjunto de 5) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.80€ | 0.97€ |
| 3 - 4 | 0.76€ | 0.92€ |
| 5 - 9 | 0.72€ | 0.87€ |
| 10 - 19 | 0.68€ | 0.82€ |
| 20 - 47 | 0.64€ | 0.77€ |
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ABS15G. VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 20:25.
Productos equivalentes :
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VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material s...
VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V
VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V
ABS15J
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VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)
VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 1.6...2A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--50A (50Hz 10ms)
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