Transistor de canal N, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AP4800CGM

Transistor de canal N, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AP4800CGM. Transistor de canal N, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.4A. DI (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (máx.): 10.4A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.014 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 450pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 40A. Marcado en la caja: 4800C G M. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora . Función: Conmutación rápida, convertidor CC/CC.. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.