BAS316

Cantidad (Conjunto de 10)	sin IVA	IVA incl.
1 - 4	0.63€	0.76€
5 - 9	0.60€	0.73€
10 - 24	0.57€	0.69€
25 - 49	0.55€	0.67€
50 - 54	0.53€	0.64€

Cantidad (Conjunto de 10)	U.P
1 - 4	0.63€	0.76€
5 - 9	0.60€	0.73€
10 - 24	0.57€	0.69€
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Cantidad en inventario : 533

Conjunto de 10

BAS316. Corriente directa (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de alta velocidad. Fecha de producción: 2014/22. Marcado en la caja: A6. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V. Producto original del fabricante Nxp Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 08:25.

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