Cantidad (Conjunto de 10) | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63€ | 0.76€ |
5 - 9 | 0.60€ | 0.73€ |
10 - 24 | 0.57€ | 0.69€ |
25 - 49 | 0.53€ | 0.64€ |
50 - 55 | 0.50€ | 0.61€ |
Cantidad (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63€ | 0.76€ |
5 - 9 | 0.60€ | 0.73€ |
10 - 24 | 0.57€ | 0.69€ |
25 - 49 | 0.53€ | 0.64€ |
50 - 55 | 0.50€ | 0.61€ |
BAS316. Corriente directa (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de alta velocidad. Fecha de producción: 2014/22. Marcado en la caja: A6. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.
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