Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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BAT42

BAT42
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Cantidad (Conjunto de 5) sin IVA IVA incl.
1 - 2 0.40€ 0.48€
3 - 4 0.38€ 0.46€
5 - 9 0.36€ 0.44€
10 - 19 0.34€ 0.41€
20 - 49 0.32€ 0.39€
50 - 99 0.30€ 0.36€
100 - 2361 0.25€ 0.30€
Cantidad (Conjunto de 5) U.P
1 - 2 0.40€ 0.48€
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5 - 9 0.36€ 0.44€
10 - 19 0.34€ 0.41€
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Cantidad en inventario : 11802
Conjunto de 5

BAT42. Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 7pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 0.5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.65V. Tensión directa Vf (mín.): 0.4V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.

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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky de pequeña señal. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-35. Vivienda (norma JEDEC): Sb. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 4A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.5uA..100uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.46V. Tensión directa Vf (mín.): 0.26V. VRRM: 30 v. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión directa Vfmax (V): 0.45V @ 15mA
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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky de pequeña señal. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-35. Vivienda (norma JEDEC): Sb. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 4A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.5uA..100uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.46V. Tensión directa Vf (mín.): 0.26V. VRRM: 30 v. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión directa Vfmax (V): 0.45V @ 15mA
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Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica):...
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Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 30 v. RoHS: sí. Cj: 10pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: BAT85S. Número de terminales: 2. Temperatura: +125°C. Paso: 1.6x3.9mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV. Spec info: IFMS 5Ap/10ms
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Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 30 v. RoHS: sí. Cj: 10pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: BAT85S. Número de terminales: 2. Temperatura: +125°C. Paso: 1.6x3.9mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV. Spec info: IFMS 5Ap/10ms
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