Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1N4007

1N4007
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Cantidad (Conjunto de 5) sin IVA IVA incl.
1 - 2 0.79€ 0.96€
3 - 4 0.75€ 0.91€
5 - 9 0.71€ 0.86€
10 - 19 0.70€ 0.85€
20 - 49 0.39€ 0.47€
50 - 99 0.38€ 0.46€
100 - 6815 0.36€ 0.44€
Cantidad (Conjunto de 5) U.P
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5 - 9 0.71€ 0.86€
10 - 19 0.70€ 0.85€
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1N4007. RoHS: sí. Vivienda: DO-41. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 1A. Ifsm [A]: 30A. Tensión directa Vfmax (V): 1.1V @ 1A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..50uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Producto original del fabricante Diotec. Cantidad en stock actualizada el 04/09/2025, 04:56.

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Vivienda: DO-41. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: sí. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): DO-41. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--27Ap. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 30Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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